Obrona rozprawy doktorskiej dr inż. Przemysława Trochimiuka

Pan Przemysław Trochimiuk obronił pracę pt. „Series connection of silicon carbide MOSFETs in a medium voltage range”. Rozprawa doktorska dotyczyła analizy techniki szeregowego łączenia tranzystorów MOSFET z węglika krzemu (SiC) pod kątem jej zastosowania przy przekształcaniu energii elektrycznej w zakresie średnich napięć. W pracy przedstawiono dogłębną analizę procesu łączeniowego szeregowo połączonych tranzystorów SiC MOSFET wraz ze wskazaniem głównych przyczyn powodujących nierównomierność rozkładu napięć na tranzystorach w stanach statycznych i dynamicznych.

Porównano liczne metody wyrównywania napięć na szeregowo połączonych tranzystorach, bez których niemożliwe jest zapewnienie bezpiecznej pracy łącznika złożonego z szeregowo połączonych tranzystorów, a zarazem poprawnej pracy przekształtnika energoelektronicznego. Przebadano również eksperymentalnie działanie dwóch aktywnych metod wyrównywania napięć na szeregowo połączonych tranzystorach, zaimplementowane w rzeczywistych przekształtnikach pracujących w zakresie średnich napięć, przy przełączanych mocach liczonych w setkach kVA – metodę opóźniania sygnałów sterujących tranzystorami wbudowaną w dedykowane sterowniki bramkowe oraz nowatorską metodę kontroli poziomu dodatnich napięć sterowników bramkowych.

Zaprezentowane wyniki z powodzeniem mogą zostać wykorzystane przy zachodzących zmianach w systemie elektroenergetycznym, gdzie widoczny jest większy udział energii elektrycznej pozyskiwanej ze źródeł odnawialnych oraz wzrasta liczba zainstalowanych magazynów energii co prowadzi do większej decentralizacji systemu. Dzięki temu zachodzi potrzeba opracowania rozwiązań wysokosprawnego przekształcania energii elektrycznej w zakresie średnich i wysokich napięć, które może być osiągnięte przy wykorzystaniu elementów półprzewodnikowych wykonanych z materiałów o szerokiej przerwie energetycznej jak SiC i GaN. Szeregowe łączenie tranzystorów jest alternatywą dla wykorzystania bardzo drogich przyrządów wysokonapięciowych czy też skomplikowanych topologii wielopoziomowych.

Promotorem pracy był prof. dr hab. inż. Jacek Rąbkowski. Obroniona praca otrzymała także wyróżnienie nadane przez Radę Naukową Dyscypliny Automatyka, Elektronika, Elektrotechnika i Technologie Kosmiczne.

Składamy serdeczne gratulacje!